SJ 50033.72-1995 半导体分立器件.PIN323型PIN二极管详细规范
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ID： |
6D6544611C9E4595B46BFCA0DA75E069 |
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文件大小(MB)： |
0.42 |
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页数： |
9 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/72-1995,半导体分立器件,PIN323型PIN二极管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification of type PIN323 series for PIN diode,1995-05-25 发布1995-12-0I 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,PIN323型PIN二极管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification of type PIN323 series for PIN diode,&J 50033/72-1995,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 PIN 323型PIN二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》i. 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级。分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 6570-86微波二极背测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立密件试验方法,GJB 1557-92半导体分立器件微波二极管外形尺寸,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为铁银钻合金,表面涂层应为金,3,2,2 器件结构,器件是以硅为材料,采用正外延、掩蔽扩散制成的平面结构二极管,3.2.3 外形尺寸,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布 1995-12-0I实施,SJ 50033/72-1995,外形尺寸按GJB 1557的W22 - 01型.见图1和图20,旭,负极标记,图1,mm,MIN MAX,地2.4 2.6,初1 1,98 2.18,H 1.20 1.60,L 8.50,B 0.55 0.65,mm,MIN MAX,1.98 2.18,H LO2 1.27,L 8.5,B Q.55 0.65,2,下载,SJ 50033/72-1995,3.3 最大额定值和主要电特性,3,3.1最大额定值,型 号,Vr,(V),%,（七）,T .2事,（匕）,PIN 323 50 75725 -65-175,3.3.2主要电特性（Ta = 25匕） 1 型、值,号、,Ir,Vr = 50V,(pA),r,IF=50mA,/= lOkHr,(n),Ctrt,Vr = 30V,1MHz ,(pF),J,fF=50mA,(ns),f p = 50mA,/= 100MHz,(匕/W),Cow,(pF),レ,(nH),外形尺寸,最小值.,最大值ー,最小值ー,最大值,最小值ー,「最大值,最小值,最大值,典型值典型值典型值,PIN 323A,1 1.5 0.29 0.40 — 30 2 0」0.1,图1,PIN 323B 图2,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6570及本规范的规定,3.5 标志,包装盒上的标志应符合GJB 33的规定。器件上不打株志,极性按图1和图2的规定,4质,保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛 选,(见 GJB 33 - 2),试验方法,GJB 128,方 法,测试和试验,3热冲击,7中间测试,8电老化,9最后测试,1051,1038,除循环20次外,其余同试验条件￡,『R'Ctot、r,见431,I4CJ=0.02pF,Ar&O. 1,其他蓼数;按本规范表1和A2分组,3,SJ 50033/72-1995,4.3.1 电老化,ア八二⑵ル加矩形脉冲信号,ハ=ズ丫小空隔ん频率かドス占空比, r%,4.4 质量一致性检验,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表!的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应表的规定,表1 A组检验,检验或试馳,GB 6570,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A1分组,外观和机械试验,GJB 128,2071,5,A2分组,总电容,反向电流,正向微分电阻,8.2,3.2,83,Vr=30V/=1MHz,Vr = 5OV,if = 50mA f = 10kHz,5,Fr,r,0.29 0.40,1.5,pF,心,n,A3分组,低温工作,反向电流,高温工作,反向电流,3.1,3.2,3 751,/r = ipA,T产125匕,Vr = 50V,5,Vr,Fr,50,5,V,A4分纲,反向恢复时间8.5 『片50mA,%"宀ノ6,5,Q —— 30 ns,表2 B组检验,检验或试验,GJB 128,LTPD,方 法条 件,El分组,可焊性,2026 15,B2分组,热冲击（温度循环）,密封,1051,1071,试验枭件F-1 /^lOrnin,10,4,SJ 50033/7……
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